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本发 明提供了一种新的生成NiSiGe材料的方法,采用改变金属淀积层成分来调节合金化反应的 进程,通过磁控溅射方法在SiGe表面生长NiTi合金薄膜,通过一定退火工艺,形成了高 质量的NiSiGe薄膜。
本发 明提供了一种新的生成NiSiGe材料的方法,采用改变金属淀积层成分来调节合金化反应的 进程,通过磁控溅射方法在SiGe表面生长NiTi合金薄膜,通过一定退火工艺,形成了高 质量的NiSiGe薄膜。
商品类型 | 技术成果 | 项目阶段 | 试生产 | 成果权属 | 独占 |
技术领域 |
先进制造与自动化
先进制造与自动化 | 交易方式 | 普通许可 | 权属人 |
孙峰
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