基于二维层状薄膜材料p-g-n异质结光电子器件,所述的光伏探测器包括在基底上设有自下到上的结构:衬底绝缘层,所述绝缘层包括二氧化硅、PMMA等柔性绝缘衬底;p-型二维层状薄膜材料薄膜层,所述p-型二维层状薄膜材料薄膜层叠放在一个确定层数的石墨烯上,n-型二维层状薄膜材料薄膜叠放在上述石墨烯下,整个异质结器件层置于所述绝缘层上,石墨烯将两半导体层完全分隔开;所述顶栅绝缘层包括二氧化硅、三氧化二铝、二氧化铪等;顶栅金属电极层设置所述顶栅绝缘层上。所述的异质结探测器感器还包括:基底,设置在所述绝缘层下面。
商品类型 | 专利 | 申请号 | CN201511028062.4 | IPC分类号 | |
专利类型 | 发明 | 法律状态 | 审中 | 技术领域 | |
交易方式 | 独占许可 | 专利状态 | 申请中 | 专利权人 |
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