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基于二维层状薄膜材料p-g-n异质结光电子器 件
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盐城万创技术转移有限公司1号店
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基于二维层状薄膜材料p-g-n异质结光电子器件,所述的光伏探测器包括在基底上设有自下到上的结构:衬底绝缘层,所述绝缘层包括二氧化硅、PMMA等柔性绝缘衬底;p-型二维层状薄膜材料薄膜层,所述p-型二维层状薄膜材料薄膜层叠放在一个确定层数的石墨烯上,n-型二维层状薄膜材料薄膜叠放在上述石墨烯下,整个异质结器件层置于所述绝缘层上,石墨烯将两半导体层完全分隔开;所述顶栅绝缘层包括二氧化硅、三氧化二铝、二氧化铪等;顶栅金属电极层设置所述顶栅绝缘层上。所述的异质结探测器感器还包括:基底,设置在所述绝缘层下面。
商品类型 专利 申请号 CN201511028062.4 所属行业 暂缺
专利类型 发明 法律状态 审中 IPC分类号 H01
交易方式 独占许可 专利状态 申请中 授权号
高新技术领域分类 新材料 高分子材料 高分子材料的新型加工和应用技术 信息有效期至 长久有效 授权日
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