本发明公开了一种日盲紫外雪崩光电探测器及其制备方法，其中光电探测器的结构从下至上依次为AlN模板层、AlN缓冲层、n型Al<Sub>x1</Sub>Ga<Sub>1‑x1</Sub>N层、i型Al<Sub>x2</Sub>Ga<Sub>1‑x2</Sub>N吸收层、n型GeS分离层、i型Al<Sub>x3</Sub>Ga<Sub>1‑x3</Sub>N倍增层和p型GaN层；所述n型Al<Sub>x1</Sub>Ga<Sub>1‑</Sub><Sub>x1</Sub>N层上引出有n型欧姆电极；所述p型GaN层上引出有p型欧姆电极；所述n型GeS分离层分别与i型Al<Sub>x2</Sub>Ga<Sub>1‑x2</Sub>N吸收层和i型Al<Sub>x3</Sub>Ga<Sub>1‑x3</Sub>N倍增层采用范德华力键合组合形成。本发明n型分离层采用二维材料GeS替代三维材料AlGaN与上下的i型AlGaN层通过范德华力进行键合在一起，而不是用化学外延生长方法，解决了现有技术中器件提前击穿、界面处产生极化电荷的问题，同时提高了雪崩光电探测器的响应速度。

本发明公开了一种日盲紫外雪崩光电探测器及其制备方法，其中光电探测器的结构从下至上依次为AlN模板层、AlN缓冲层、n型Alx1Ga1‑x1N层、i型Alx2Ga1‑x2N吸收层、n型GeS分离层、i型Alx3Ga1‑x3N倍增层和p型GaN层；所述n型Alx1Ga1‑x1N层上引出有n型欧姆电极；所述p型GaN层上引出有p型欧姆电极；所述n型GeS分离层分别与i型Alx2Ga1‑x2N吸收层和i型Alx3Ga1‑x3N倍增层采用范德华力键合组合形成。本发明n型分离层采用二维材料GeS替代三维材料AlGaN与上下的i型AlGaN层通过范德华力进行键合在一起，而不是用化学外延生长方法，解决了现有技术中器件提前击穿、界面处产生极化电荷的问题，同时提高了雪崩光电探测器的响应速度。